1998-2022 ChinaKaoyan.com Network Studio. All Rights Reserved. 沪ICP备12018245号
课程名称:集成电路设计基础
参考书目
1. 李伟华,VLSI设计基础(第三版),北京:电子工业出版社,2013.6。
2. R· Jacob Baker,CMOS电路设计、布局与仿真(第三版),北京 :人民邮电出版社,2014
3. 郝跃,微电子概论(第2版),北京:电子工业出版社,2011.6。
复习的总体要求
本课程以硅集成电路为基础,要求全面掌握有关集成电路设计的专业基础知识,重点是集成电路设计概论、MOS器件原理与特性、CMOS逻辑部件、MOS集成电路制造工艺基础、集成电路设计与工艺接口及版图设计基础、晶体管规则阵列设计、集成电路版图设计、单元库设计技术、常用微处理器单元、集成电路测试技术与可测试性技术、模拟单元与变换电路。
主要复习内容
一、集成电路设计概论
集成电路发展历程、分类、设计方法、主流制造技术、设计开发主流程、常用术语及概念。
二、MOS器件原理与特性
MOS场效应晶体管的工作原理、电特性、模型和基本模型参数、MOS器件技术的发展与挑战。
三、CMOS逻辑部件
CMOS倒相器设计方法、常见CMOS逻辑门的原理与设计方法。
四、MOS集成电路制造工艺基础
集成电路工艺环境、集成电路基本加工工艺、CMOS基本工艺流程。
五、集成电路设计与工艺接口及版图设计基础
设计与工艺接口问题及工艺对设计的制约、版图设计中电学设计规则与几何设计规则的基础、工艺检查与监控。
六、晶体管规则阵列设计
全NMOS结构的ROM电路设计及版图、MOS晶体管开关逻辑电路及应用、PLA电路设计及应用、门阵列电路和版图设计。
七、单元库设计技术
单元库概念、常见标准单元设计(反相器、输入、输出单元)。
八、常用微处理器单元
常用微处理器单元的电路图及工作原理。
九、集成电路测试技术与可测试性技术
集成电路故障模型、测试矢量生成、可测试性技术概念。
十、模拟单元与变换电路
模拟集成电路基本单元、基本偏置电路、放大电路。
来源未注明“中国考研网”的资讯、文章等均为转载,本网站转载出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如涉及版权问题,请联系本站管理员予以更改或删除。如其他媒体、网站或个人从本网站下载使用,必须保留本网站注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。
来源注明“中国考研网”的文章,若需转载请联系管理员获得相应许可。
联系方式:chinakaoyankefu@163.com
扫码关注
了解考研最新消息