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刘虹越
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:0512-62956219-800
个人主页:http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201009/t20100907_2945918.html
个人简历 Personalresume
2010年2月入所,研究员,任信息存储联合实验室主任。1996年在宾夕法尼亚州立大学获博士学位。曾任美国Seagate公司高级工程总监(seniordirectorofengineering),主持和参与研发过世界第一款MRAM芯片、美国国防部提供2000万美元的研发经费支持的世界第一款基于GMR的MRAM芯片研发、各类抗辐射电路模型的开发。2010年2月起在我所从事闪存为介质的固态硬盘项目研究,研发课题的主要方向将在如下领域中选择:闪存控制器设计,闪存使用算法的优化,高带宽存储系统的解决方案,存储系统可靠性的提高,存储软件的开发,固态硬盘在存储架构中的新应用,下一代非易失性存储器技术等。
研究方向 Researchdirection
1、电子信息
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联系方式:chinakaoyankefu@163.com
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