南京邮电大学

820--《半导体物理》考试大纲

一、基本要求

《半导体物理》硕士研究生入学考试内容主要包括半导体物理的基本概念、基础理论和基本计算;考试命题注重测试考生对相关的物理基本概念的理解、对基本问题的分析和应用，强调物理概念的清晰和对半导体物理问题的综合分析。

二、考试范围

1、 半导体中电子状态

1.1 半导体的晶格结构和结合性质

1.2 半导体中的电子状态和能带

1.3 半导体中电子的运动 有效质量

1.4 本征半导体的导电机构 空穴

1.5 回旋共振

1.6 硅，锗和砷化镓的能带结构

2、 半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

2.3 缺陷、位错能级

3、 半导体中载流子的统计分布

3.1 状态密度

3.2 费米能级和载流子的统计分布

3.3 本征半导体的载流子浓度

3.4 杂质半导体的载流子浓度

3.5 一般情况下的载流子统计分布

3.6 简并半导体

4、 半导体的导电性

4.1 载流子的漂移运动 迁移率

4.2 载流子的散射

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论

4.6 强电场下的效应 热载流子

5、 非平衡载流子

5.1 非平衡载流子的注入和复合

5.2 非平衡载流子的寿命

5.3 准费米能级

5.4 复合理论

5.5 陷阱效应

5.6 载流子的扩散运动

5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式

5.8 连续性方程

6、 p-n结

6.1 p-n结及其能带图

6.2 p-n结电流电压特性

6.3 p-n结电容

6.4 p-n结击穿

7、金属和半导体接触

7.1 金属半导体接触及其能级图

7.2 肖特基势垒二极管

8、半导体表面与MIS结构

8.1 表面电场效应

8.2 理想MIS结构的电容-电压特性