中国科学技术大学

孙钱
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：0512-62872721
个人主页：http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201205/t20120502_3567386.html

个人简历  Personalresume 
孙钱，现任中科院苏州纳米所研究员、博导，器件部副主任，美国耶鲁大学博士，中组部首批国家“青年****”，国家优秀青年自然科学基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。

2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任AssociateResearchScientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司BridgeluxInc.，任EpiR&DScientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2011年入选中组部首批国家“青年****”，2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者。

迄今为止，在NaturePhotonics、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等期刊上发表了70余篇被SCI收录的学术论文，总引用900余次。参与编写了英文专著一章，是20余项美国和中国发明专利的发明人，其中一项已许可给韩国首尔半导体SeoulSemiconductor公司量产LED。曾受国际氮化物会议ICNS、IWN、ICMOVPE、WLED、ChinaSSL、SemiconTaiwanLED等国际会议邀请作特邀报告。此外，还应邀为NanoLetters、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等多家国际学术期刊评审论文。目前为国家重点研发计划课题、科技部863计划课题、国家自然科学基金重点项目、工信部电子信息产业发展基金项目、江苏省科技成果转化专项、江苏省科技支撑计划项目、及苏州市科技计划项目等的负责人。

十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。

（1）在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司，获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币（毛利率逾40%），打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。

（2）2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件）的电注入室温连续激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在NaturePhotonics10,595–599(2016)

（3）在Si衬底氮化物电力电子方面，孙钱研究员的课题组研发的硅基氮化物外延材料的击穿电压已突破1500V，并且通过P型栅实现了增强型电力电子器件，将推进我国第三代半导体电力电子器件的产业化进程。

研究方向  Researchdirection 
1、宽禁带半导体光电子材料
2、宽禁带半导体电子器件
3、材料生长与测试表征