电子科技大学 - 话题

教师姓名 包生祥 教师职务/教师职称 教授
出生年月 1956.2 性别：男   
学科方向（填编号） （限选三个） 01  02  03  
教师简介：
包生祥教授, 男，1956年出生，材料分析研究中心主任。先后从事过光谱、电子显微镜、扫描探针显微镜SPM（包括扫描隧道显微镜STM，原子力显微镜AFM,磁力显微镜MFM，电力显微镜EFM等）分析研究、以及材料与元器件分析表征等科研工作。目前主要研究方向为纳米电子信息材料的扫描探针显微镜分析表征研究。先后主持国家、中国科学院和国防科工委各类课题多项, 现主持在研课题二项（“973” 国家重大基础研究项目重点子课题和国防预研项目各一项）。以第一作者在国内外有影响刊物发表论文45篇,论文被SCI收录检索和SCI他人引用检索40余篇次。现担任中国电子学会西南理化检验分会主任、国内外多家学术刊物编委会成员和审稿人、美国科学促进会（AAAS）会员和甘肃省青联委员。曾荣获“中国青年科技奖”, 享受国务院政府特殊津贴, 入选中国科学院跨世纪人才、四川省学术与技术带头人后备人选、万方数据库《中国科技名人》和美国Marqius "Who's who in the world"(《世界名人录》)等。
    联系电话：028 83206133
    电子邮件：sxbao@uestc.edu.cn; sxbao@263.net


教师姓名 曹康白 教师职务/教师职称 副研究员
出生年月 1951年10月 性别 男
学科方向（填编号） （限选三个） （03），（04），（06）
教师简介：
从事专业：电磁场与微波技术
现研究方向：微波（毫米波）与微系统集成技术；RFID识别技术与应用。
1983年在电子科技大学获工学硕士学位，并留校从事科研与教学工作，1990年获工学博士学位，从事微波与毫米波电路与器件、微波与毫米波系统与子系统、RFID技术与应用的研究。作为主要研究人员和课题负责人，完成多项部级科研成果，并获电子部科技进步二等奖一项，国家科技进步三等奖一项。


教师姓名 聂在平 教师职务/教师职称 副校长,博士生导师/教授
出生年月 1946年10月 性别 男
学科方向（填编号） 天线理论与技术（01）；非均匀介质中的场与波（03）；计算电磁学（06）
；电磁散射与逆散射（08）；移动通信中的天线新技术（14）；瞬态电磁理论及应用（15）




教师简介:
个人简历1968年 成都电讯工程学院电子工程专业本科毕业；
1968.12--1970.8 中国人民解放军0058部队劳动锻炼；
1970.8--1978.8 四川省宜宾六号信箱 技术员
1978.9-1981.9 成都电讯工程学院电磁场与微波技术专业研究生
1981.10-1987.8成都电讯工程学院电磁场与微波技术专业讲师,副教授;
1987.9-1989.9 美国伊利诺依大学电磁实验室访问学者;
1989.10--现在 先后任电子科技大学电磁场与微波技术专业副教授、教授（1992.4-）、博士生导师（1995.12-）系主任、副校长（1995.12-）并一直从事科研和教学工作至今；
研究方向:
目前研究的领域主要集中在以下几个方面：
l 新一代移动通信中的天线技术；
l 计算电磁学,电磁散射与目标特性;
l 非均匀介质中场与波理论及应用;
l 电磁逆散射与成像；l
超宽带短波通信天线的新型设计与研发；
l 时域电磁理论及其工程应用。
科研成果
   聂在平教授是我校国家重点学科和博士点学科"电磁场与微波技术"的博士生导师;
国际权威学术组织"国际电气与电子工程师协会"（IEEE）高级会员，中国电子学会
会士，并兼任十余个全国性学术组织的重要工作。
他长期致力于电磁辐射、散射与逆散射理论与工程科技研究，先后主持并圆满完成
包括国家重点科技攻关项目、国防军事预研项目和国家 863高科技项目在内的20余
个研究项目，特别在其主要研究方向"非均匀介质中的场与波及工程应用"，"宽带电磁辐射
和电磁散射与目标特性"等方面进行了创新研究并取得了多项成果，先后获国家科技进步
二等奖一项（2002年），省、部级科技进步一、二、三等奖五项，科技成果鉴定十几项
。上述成果均排名第一。发表学术论文逾200篇（排名第一或第二），其中SCI和EI共收录78篇；
著、译60余万字，其中合著专著"复杂系统中的场与波"获1997年全国科技图书一等奖并荣获第三届国家图书奖；
作为副主编，他筹划、组织并参加编写了我国第一部"天线工程手册"，该书共260余万字,已于2002年出版。
聂在平教授"十五"其间主持包括国家自然科学基金项目、国防军事预研项目和国家863高科技项目在内的10余个研究项目，
科研经费已达800万元。目前，本课题组由六位教授、副教授（其中四位为博士）和近30名博士生和硕士生组成，
研究基础雄厚，梯队结构合理，学术气氛活跃，形成了较好的发展态势。


教师姓名 陈星弼 教师职务/教师职称 教授，博导，中国科学院院士
出生年月 1931年1月 性别 男
学科方向（填编号） 01、02、05
教师简介：  陈星弼，男，教授，博导，中国科学院院士。1931年1月出生于上海，1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。
陈星弼教授在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。
他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-Gate MOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。
他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。
对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。
他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发。
他作为唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇，出版著作五种（六册），取得美国及中国发明专利权七项，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。圆满完成八五国家自然科学基金重点项目、军事预研项目及国家八五科技攻关重大项目，并获得国家八五科技攻关先进个人，受到江泽民总书记等党和国家领导人接见。2002年8月获信产部信息产业重大技术发明奖（三项中排第一），2002年8月获（美国3D公司杰出创新技术认可奖）及评价，不但高度评价本项目技术创新的意义，而且高度评价对环保的意义。
有四项部级鉴定的新功率器件与功率集成电路均被评为“结构属国际首创”“性能属国际领先”。
陈星弼教授是中国电子学会会士、美国IEEE高级会员。多次出访国外进行科技学术交流。
陈星弼任教四十多年来，教过多种课。他亲自教过及培养过近千名的学生，普遍反映受影响最深，他对学生要求严格。这些至今有口皆碑。他公开出版五本书，不少书迄今仍是许多大学的教材。
陈星弼教授是新中国培养的知识分子。他热爱祖国、忠诚党的教育事业与科学事业。学识渊搏、治学严谨、工作刻苦。很快深入，既能发现问题又能解决问题。又做实验，还亲自上机计算。他有坚实的基础理论又会四国外语，因此能及时抓住新方向能较快地有系统成果。1991年起享受国务院特殊津贴，1997年被评为电子部优秀教师，1998年被评为全国优秀教师。四川省学术与技术带头人。

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